разование внутри кристаллов правильных фигур: ромбиков,
уголков и т. д. (рис. 3, 4, 5, 6)..
Сильное уплотнение гипсированных прослоев связано, по-
видимому, с переплетением 
отдельных 
сростков, растущих
кристаллов гипса. Прочность образуется в результате сра-
стания отдельных кристаллов с образованием объемного кар-
каса. 
По-видимому, 
чем 
больше 
будет 
точек 
срастания
между кристаллами гипса, тем плотнее будут гипсированные
прослойки.
Таким образом, 
в 
гипсированных 
прослойках 
наблю-
дается не только образование новых кристаллов из раство-
ров, но 
и рост тех кристаллов гипса, к которым все время
притекают новые порции кристаллизующейся соли с почвен-
ными растворами. Выкристаллизовываясь в порах, сульфат
кальция постепенно заполняет их, а в дальнейшем, по-види-
мому, и раздвигает частички исходной породы.
Деш 
на 
примере 
кристаллов 
гипса 
показывает, 
что
«... иногда при затвердевании или кристаллизации наблю-
дается увеличение объема и давления, производимое расту-
щими кристаллами» (цитировано из книги Бакли «Рост кри-
сталлов», 1954, стр. 336).
Давление растущих кристаллов 
гипса 
на 
вмещающую
породу 
и 
раздвигание 
её 
гипсом 
было 
отмечено 
также
Н. Г. Минашиной (18), Я. В. Самойловым (25) и др.
Накопление гипса 
в 
верхней зоне капиллярной каймы
в исследуемых почвах сопровождается некоторыми деформа-
циями грунта и уплотнением за счет выполнения пустот и
раздвигания частичек почвы гипсом. С ростом количества
чечевицеобразного гипса увеличивается плотность современ-
ного гипсового горизонта, уменьшается его удельный вес 
и
снижается ` водопроницемость. 
Это 
происходит 
вследствие
того, что с увеличением массы кристаллического гипса умень-
лшается порозность средней части профиля 
(описание шли-
фов) за счет притекания и выпадения все новых количеств
гипса, который заполняет имеющиеся поровые пространства,
а также раздвигает частички грунта. В результате загипси-
рования поры расематриваемых ‘сероземно-луговых почв за-
полняются растущими кристаллами гипса и образуется плот-
ный гипсированный горизонт.
Третья разновидность кристаллического гипса в исследуе-
мых почвах образуется в глубоких горизонтах, от гипсирован-
ной прослойки до уровня грунтовых вод. Здесь гидротерми-
ческий 
режим 
более 
постоянный, 
влажность — довольно
высокая и постоянная. 
Кристаллы гипса 
в 
этих слоях до-
вольно крупные, часто встречаются сростки кристаллов.
Образование крупных кристаллов гипса в глубоких очень
влажных горизонтах связано 
с тем, что при высокой постоянной
З