повышения 
концентрации 
почвенного 
раствора 
(табл. 
5).
Когда почвенный раствор сильно пересыщен, из нее выкри-
сталлизовываются мельчайшие (<0,1 мм) кристаллики гипса,
причем из вновь приносимых порций почвенного раствора вы-
кристаллизовываются 
все 
новые 
и 
новые 
кристаллики.
Каждый раз возникают как бы новые зародыши кристалли-
зации, а имеющиеся кристаллики гипса почти не растут.
По-видимому при сильном пересыщении раствора в еди-
нице объема возникает много центров кристаллизации, что
способствует образованию большого количества мелких кри-
сталлов. Препятствием для роста кристаллов в поверхност-
ных горизонтах почвы может служить слой адсорбирован-
ного воздуха на поверхности кристаллов, который не может
быть 
мгновенно 
вытеснен. 
Поэтому 
при 
соприкосновении
© 
кристаллами 
насыщенных 
растворов зарождаются 
новые
точки роста.
Так как условия увлажнения этих горизонтов меняются
(что связано с изменением уровня грунтовых вод по сезонам
и 
по 
годам 
и, 
следовательно, 
высотой — капиллярного
подъема), то горизонт со скоплениями порошковидного гипса
не ограничивается резко очерченной глубиной, а имеет пеко-
торую протяженность.
В более глубоких горизонтах почвы, в области плотной
гипсированной 
прослойки 
более 
крупные кристаллы гипса
представлены в основном 
чечевицами 
(искаженная таблит-
чатая форма), часто сросшимися между собой. 
На этой глу-
бине наблюдаются более высокое увлажнение и относительно.
постоянный водный режим. Гипс здесь также выкристалли-
зовывается 
из 
почвенных 
растворов, однако меньшей 
— не
столь пресыщенной концентрации, чем 
в надгипсовой части
прифиля
Рост 
кристаллов 
в 
плотных 
гипсированных — прослоях
можно объяснить следующим образом. При притекании поч-
венных растворов имеющиеся кристаллы гипса смачиваются,
и 
поверхностные 
слои 
их 
частично 
растворяются, то есть
устанавливается связь раствора и кристалла. При последую-
щем 
испарении растворителя снова создаются условия Для
роста кристалла.
Аншелес по этому поводу пишет: «... отложение отдель-
ных слоев на грани растущего кристалла происходит не не-
прерывно, а скачками, при чем толщина этих слоев зависит
от концентрации раствора» (цитировано из работы А. Д. По-
лака «Элементарные процессы твердения мономинеральных
вяжущих веществ», 1963). При росте кристаллов в таких ус-
ловиях гипс заполняет прежде всего имеющиеся пустоты, За-
тем раздвигает тонкие частички грунта или иногда включает
их отдельными сгустками. При этом часто наблюдается об-
30