ВОДЫ и «тройной точкой самопроизвольного ста:]к‹лов льда (см. стр. 60, 62%)). ЗОНЕ энер&г::та„лл;:;;коефовеществ;» может ` накапливать свободную рмах: в виде поверхн‹ й гии кристаллических — индиви оаикВ та ь оВ или — их облом виде внутренней свободной аНОНЕ ПЫ д энергии напряженного состояния сТаО]!]‹]гуглепие и собирательная перекри- Еоая св':›бз ация, Поверхностная энергия имеет свойм источ- РНО жпдную Ээнергию пересыщенного пара или переохла- сталлическ:›Ё...ЁіЩ; затраченную на создание поверхности кри- Видуумов во время их рост: механическую энергию хрупког‹ сНа ВО ую кого разрыва кристаллов. В, поверхностной энергии прям ои о пропорциональна ра я ОЙ Эв зме| по- разг›з‘:г;;и ььрщтдллш?‚ завися, кроме того, от отз‹›ситерлуыюго н оіа:::;:\(е граней и от свойств окружающей среды ает влияние на ве, / пов : оОЕ а величину поверхностного на- Для единичного кристалла принцип миниму! й ма своб, й ЁЪ;Ё[;гии обозначает стремление к равновес п}о й фо ‹›д::оеп л огіеос:;п;) формой (Ёзотропного вещества является ша;[: из трических фигур обладающий й ьной Ций наименьшей й поверхностью. Приближени и ь е к шарообразной фо| во-первых, путем удалени лН › Пу я вещества с более выпу: КОВ поверхности, где поверхност, и : ‘ное натяжение больш Е ! , СиЛЫ. СВЯЗИ Обла;‹;/'ЁтьбЁ'г:’ом меньше или, другими словами, где молекулы Сн шей свободной энергией, и, во-вторых, посред- сН дновременного отложения вещества на вогщ;тых і?ми мЫ аЖаь}з:ш_\/клых участках. _ Количественно эти соотношения трё‚пных 1;::›1 формулой В. Томсона (см. стр. 56). Для анизо- н вср„л;сталлов равновесная форма несколько отличается оН, (дстшіе Различия в поверхностном натяжении раз- НВЕ. приближс::п'и;тг 66). Отличие это невелико, поэтому про- к равновесной ( назЁвать оЕО форме мы сокращенно. будем чески‚і'кія аггорре];к;з п‘;›р‹щы, представляющей собой поликристалли- › принцип минимума своб‹ Й е У ›одной энергии обозна- ЗЕ ‚ВКЁЗЁЧЪЁГО‚ стремление к уменышению колпчес?гва кристал- н я, М счете — к слиянию в монокристалл. Это процесс КЕН льной перекристаллизации, кото- ОЕ ©, рассмотренным выше причинам протекает путем п мЁлких кристаллов, имеющих большую кривизну ЗОН ОООЙ олее крупными кристаллами. У анизотропных поверхп‹остног%‹зцесс также несколько осложняется различием натяжения г й н раней, что не меняет его общего 250 Скорость обоих процессов, вызываемых поверхностной энер- гией, — округления кристаллов и собирательной перекристал- лизации — вначале велика, но вскоре уменьшается и асимпто- тически приближается к нулю. Кривизна поверхности кри- сталлов льда в условиях температур, близких к точке плавле- ния, оказывает существенное влияние на процессы перекри- сталлизации при радиусах кривизны до 0,1—0,2 мм (Вадег, 1939, стр. 16), а при радиусах порядка сантиметра ее влияние стано- вится исчезающе малым. Поэтому округление протекает быстро только при наличии кристаллов скелетной или вообще углова- той формы, а собирательная перекристаллизация — только при наличии очень мелких кристаллов, в дальнейшем же оба про- цесса практически затухают, Характерная особенность перекристаллизации, вызываемой поверхностной энергией, как явствует из самого механизма ее, заключается в формировании неориентированных структур. Употребляя термин «перекристаллизация», мы до сих пор не уточняли механизма этого процесса, имея в виду, что каждый из рассмотренных видов перекристаллизации, в зависимости от условий, может осуществляться тремя способами: 1) в твер- дой фазе, 2) с: переходом через жидкую фазу и З) с переходом через парообразную фазу и путем миграции по поверхности кристаллов. Рекристаллизация. Всякая перекристаллизация, протекающая в твердой фазе, носит название рекристаллизации. К числу процессов рекристаллизации принадлежат, например, расстеклование аморфного вещества при отжиге — нагревании его выше температуры рекристаллизации и превращения ве- щества из одной полиморфной модификации в другую после пе- рехода соответствующей границы метастабильности. Здесь не место для изложения гипотез атомного механизма рекристалли- зации, охватывающих количественную сторону явления. Для нас существенно только то, что виды рекристаллизации, вызы- ваемые поверхностной энергией, —рекристаллизацион- ное округление (точнее — приближение к равновесной форме) и собирательная рекристаллизаци я — осуществляются путем перехода молекул из пространственной решетки одного кристалла в решетку другого, вплотную при- легающего к первому. Обмен молекулами между решетками соседних кристаллов непрерывно происходит при температурах выше температуры рекристаллизации, так что явление, называе- мое рекристаллизацией, представляет только результат изме- нения баланса обмена молекулами в пользу одного из кри- сталлов. Рекристаллизация проявляется в пространственном переме- щении границы между соприкасающимися кристаллами, наблюдав;, 251