проявляется в давлении, оказываемом растущими кристаллами
в направлении их роста, и в способности их к самоочищению.
Последняя заключается в том, что возникающая кристалличе-
ская решетка как бы стремится вытолкнуть из себя инородные
примеси (конечно, за исключением тех, которые служат центрами
кристаллизации). 
Как 
выяснил 
К. 
Корренс (Соггепз, 
1996,
стр. 81), 
в тех случаях, когда действительное или кажущееся
давление растущих кристаллов не сводится к увеличению объема
при изменении агрегатного состояния или к росту кристаллов за
счет своего окружения, сущность «силы 
кристаллизации»
ключается 
в действии 
поверхностного натяжения 
на 
границе
различных фаз.
Для роста кристалла необходим доступ питания к его поверх-
ности, т 
е. соприкосновение последней с водой. Инородный пред-
мет, соприкасающийся с кристаллом, служит препятствием для
доступа питания, прекращает рост в данном участке его поверх-
ности 
и 
в 
результате роста окружающих свободных участков
через 
некоторое время 
окажется вросшим внутрь кристалла.
Однако, как показал К. Корренс, действие сил поверхностного
натяжения может изменить ход процесса.
Допустим, что сумма сил поверхностного натяжения между
растущим 
кристаллом 
и 
жидкостью (з1,э), 
© одной стороны,
и 
инородным 
телом 
и 
жидкостью 
(з2,3), 
© другой, 
меньше 
Фиг. 37. 
Призматически .„-‚....диі—:м:: &\:іг"'.\” 
;Ё›!*-]\_„...у...'‹і ляцпонного — льда
силы поверхностного натяжения 
между 
кристаллом 
и 
телом 
“пЭров ("\:‚‘" П 
ЧЫ 
|
(61,3), Т. ©. 
‚ 
‘
91,3 2> 91,2 - 02,3-
При таком условии силы поверхностного натяжения будут
стремиться поддерживать между кристаллом 
и телом 
пленку
жидкости. Чтобы прервать эту пленку, нужно затратить 
ра-
боту, равную произведению величины” 
поверхности раздела на
разность поверхностных натяжений о1,з 
— (61,2 - 9э,3).
Если давление между кристаллом и телом`меньше разности
поверхностных натяжений, а жидкая пленка в состоянии в до-
статочном количестве доставлять питание ПРИЛСГЗ!ОЦ\СМУ К ВКЛлю-
чению участку поверхности кристалла, то скорость его роста не
будет отставать от скорости роста окружающей свободной по-
верхности, и включение будет выталкиваться растущим кристал-
лом. Для того чтобы включение вросло в кристалл, нужно, чтобы
жидкая пленка между ними 
или совсем прервалась, или стала
доставлять меньше питания для роста, чем получает его окру-
жающая поверхность кристалла. Причиной этого может явиться
слишком большое давление (т. е. сопротивление тела) или че-
ресчур быстрый рост кристалла.
К. Корренс исследовал только подъем грузов кристаллами,
питающимися из раствора, когда кристаллизация растворенного
176
Призматически-зерни 
структура _ конжеляционного
(разрез в направлении роста) х 6.
(Фото Б. 
А. Савельева)