° растущих кристаллов. Тем самым они будут по- ! В процессе геометрического отбора, получая возмож- ь разрастаться в ширину. Меньшее поверхностное натяжение ‘бависных плоскостей кристаллов создает преимущество большей устойчивости, но оно имеет значение только для сохранения кристаллов и зародышей от таяния, в то же время оно связано © меньшей, чем у других граней, скоростью роста. Значит, если бы не оказывали влияние другие факторы, то кристаллы, орнентированные базисной плоскостью параллельно поверхно- сти замерзания (или главной осью в направлении роста), росли бы медленнее других и не сохранялись бы, в противополож- ность происходящему в действительности. Факт ориентировки кристаллов льда в агрегатах главной осью в направлении роста не может быть объяснен иначе, как большей скоро- стью роста по главной оси, Таким образом, необходимо признать, что при переходе от свободного роста разобщенных кристаллов льда к взаимно- стесненному росту в агрегате происходит изменение направления наибольшей скорости роста ледяных кристаллов на 90° — от базисной плоскости к главной оси. В чем же причина такого изменения? Единст@енной причиной, повидимому, может служить не- сколько бдльшая теплопроводность льда по главной оси (см. стр. 39). Принимая такое объяснение, мы возвращаемся к точке зрения Трутона (см. стр. 159), но с тем отличием, что. применяем фактор анизотропии теплопроводности не к стадии протокристал- лизации, а к стадии сомкнутого роста агрегата кристаллов. Ги- потеза Трутона вызвала со стороны ряда авторов возражение (РоБгомо!5К!, 1923, стр. 351; Вейнберг, 1940, стр. 162, и др.), заключающееся в том, что анизотропия теплопроводности у льда, если и существует, то слишком слаба, чтобы изменить со- отношение скоростей роста граней призмы и моноэдра, из ко- торых первая намного превышает вторую. При этом, однако, упускается из виду, что это различие пропорционально величине переохлаждения и при малых переохлаждениях ничтожно мало (см. стр. 67), а одно из важнейших отличий рассматривае- мой второй стадии льдообразования от первой заключается именно в малой величине переохлаждения воды (см. стр. 164). Другое существенное отличие стадии ортотропной кристалли- зации, на которое обратил внимание А. Гамберг, заключается В тоМ, что отвод тепла при сомкнутом росте осуществляется через растущие кристаллы, а не в окружающий переохлажденный рас- плав‚ как при свободном росте, вследствие чего в более благо- приятных условиях оказываются не выступающие вперед, а от- стающие части поверхности, и скелетный рост становится невоз- можен. Все это вместе заставляет думать, что большая скорость 170 роста кристаллов льда в сомкнутом агрегате по направлению глав-- ной оси обусловлена большей теплопроводностью их в этом на- правлении. Изменение направления наибольшей скорости роста под влиянием различий в теплопроводности является особенностью льда, так как у большинства других минералов структурная тен- денция в агрегате зерен подчинена анизотропии скоростей ` роста свободно растущих кристаллов, т. е. различие скоростей роста в разных кристаллографических направлениях у кристаллов, растущих сомкнутым фронтом, такое же, как и у свободно ра- стущих кристаллов ($ейти!4евв, 1928). В последнем случае явление упорядочения кристаллографической ориентировки в процессе взаимно-стесненного роста, в соответствии с выводами А. В. Шубникова и Г. Г. Леммлейна (1927), не имеет никакого отношения к направлению отдачи тепла. Но если направление наибольшей скорости роста в агрегате зерен изменяется по срав- нению с таковым свободно растущего кристалла в результате анизотропии теплопроводности, как это происходит у льда, то между направлением отвода тепла и направлением преобладаю- щей кристаллографической ориентировки вместо внешнего со- впадения возникает причинная связь. Поэтому в данном случае можно говорить о термотропии роста кристаллов, помня только, что направление теплового потока оказывает ориенти- рующее действие на кристаллы не непосредственно, как это пред- ставлял себе Ф. Риние, а косвенно, через изменение направления наибольшей скорости роста и процесс геометрического отбора. В конжеляционном льду процесс геометрического отбора протекает по-разному, в зависимости от характера первичного слоя. Чем больше различия в углах отклонения главных осей кристаллов первичного слоя от направления нормали к поверх- ности замерзания, тем быстрее идет геометрический отбор. В широко распространенном случае замерзания спокойной водной поверхности, когда большинство кристаллов ориенти- ровано главными осями горизонтально, а единичные кристаллы—— вертикально, весь процесс отбора обычно заканчивается на расстоянии от поверхности в 50—100 средних поперечников кри- сталлов первичного слоя. На этом протяжении все. кристаллы с горизонтальной осью выклиниваются, а остающиеся немного- численные кристаллы с вертикальной осью соответственно уве- личиваются в поперечнике (фиг. 35). Характерно, что в слое, тде путем геометрического отбора происходит перестройка струк- туры от преобладающей горизонтальной к исключительно верти- кальной ориентировке, никаких промежуточных косых ориен- тировок не появляется. Если изобразить стадии этого процесса в виде ряда стереограмм, то тип структуры, показанный на фиг. 81, будет превращаться в тип, приведенный на фиг. 82, 17