15 г. А. Гамбергом (Натвега, 1615) была сделана
а решить вопрос о вторичном развитии однообраз-
риентировки, отчетливо наблюдавшейся им в речном ле-
ДяМом покрове. Как будет показано, ниже, эту попытку также
Нельзя признать удачной, тем не менее она интересна тем, что.
В основу ее положено представление об отборе в процессе роста
благоприятнее ` ориентированных 
и 
потому быстрее растущих
кристаллов.
`Более четко принцип отбора в растущем агрегате кристаллов
был сформулирован в 1993 г. на основании изучения роста кри-
сталлов 
в 
полых 
трубках (Сгозз 
и. 
МбМег, 19923, стр. 
875)
и 
затем развит 
в 
стройную теорию, получившую завершение:
в трудах Г. Г. Леммлейна (1945) и А. Н. Колмогорова (1949).
В отличие от отбора при зарождении кристаллов отбор в расту-
щем 
агрегате 
является геометрическим. Он 
основан
на анизотропии 
скоростей роста 
кристаллов
и выражается в том, что в растущем агрегате сохраняются только
те кристаллы, направления наибольшей скорости роста которых
совпадают с направлением ортотропной кристаллизации или мало
отклоняются от 
него; остальные кристаллы в 
процессе роста
вытесняются более благоприятно ориентированными соседними
кристаллами.
Механизм процесса геометрического отбора заключается в
следующем. Во время взаимно-стесненного роста каждый кри-
сталл с одной стороны граничит с расплавом поверхностью своих
растущих граней, а с боков ограничен соседними кристаллами.
Границы между кристаллами в структуре роста представляют
собою_пути ребер, разделяющих растущие грани этих кристал-
лов. При равной скорости роста двух соседних граней путь ребра
между ними проходит по угловой симметрали этих траней, т. ©.
по плоскости, делящей угол между ними пополам. Если же ско-
рости роста соседних граней различны, то угол между ними де-
лится путем ребра так, что синусы углов, возникших благодаря
этому делению, относятся друг к другу как скорости роста со-
ответствующих граней, Таким образом, путь ребра будет откло-
НЯТЬся от угловой симметрали в сторону грани с меньшей ско-
ростью 1Ёос'га‚ которая вследствие этого будет уменьшаться в раз-
мерах. 
Если пути ребер, ограничивающих данную трань кристал-
ла, во время роста сходятся, то грань исчезает, и, наоборот, если
пути ребер расходятся, то данная грань увеличивается. А если
кристалл в структуре ограничен гранями, которые в процессе.
роста исчезают, то исчезает и весь кристалл, зарастая соседними
кристаллами.
Следовательно, кристаллы, растущие более медленно вслед-
ствие 
менее 
выгодной 
ориентировки, 
через 
некоторое время
уступают место] быстрее растущим кристаллам.
166
Этот процесс схематически изображен на фиг. 34, кшк?оа:
представляет поперечный разрез части структуры 1рос]т(а, соёллы
щей из трех кристаллов (О. 5еБпиева, 1928, стр. 
1). 
Крист: На
А и С расположены нормально к плоскости фронта кристал. в
зации, а кристалл В — наклонно. В первую стадию р‹)стг\ави
три 
кристалла 
одинаково 
продвинулись 
вперед 
вершинами.
Пути 
роста 
вершин В и
С’и границы В/С сходятся.
Вершина, которая первая
сойдется с границей В/С, 
Г Рейий
должна исчезнуть во вто-
рую 
стадию 
роста. Этой
вершиной является верши-
на — более — наклоненного
кристалла В, которая дол-
эна пройти больший путь.
В третью стадию граница
В/С 
сильно — наклонится
‘/ ставия
А 
А
^
л
^ 
Т
влево и будет быстро /Т;(Ё 
) 
Й
диться 
с 
границей 
ь 
` 
Х
вследствие 
чего кристалл 
; 
‘/ отайия
В скоро исчезнет 
и зарастет
соседними. В дальнейшем 
\
кристаллы А и В будут ра- 
!
сти параллельно, нё вытес-
няя 
друг друга, и вместе 
я 
[ 
с 
/ стадия
ал-
сдругими образуют пар 
Фиг.` й СаНЕЛНННВЫКая Иг ощетоЕНне!
лельно-столбчатую — струк- — когы отбора во время роста агрегата
туру- 
кристаллов,
Изображенный здесь ме- 
(По О. $евпиедц, 1928)
ханизм процесса геометри-
ческого отбора протекает и во время роста агрегата кристаллов
льда. Поверхность головок растущих кристалловб 2 :ЁЁНТ\З:‹ЕП :Ё%Ё-
. 
: 
она состоит из 
Е
ная, 
но имеет другую форму: о! 
‚
! 
й 
генек обычно высото)!
гей и граней призмы, образующих ряд ступ‹
Ё\Ъе}зияйкаро 4*0[?6 мм. На ребрах пластинок часто наблюдается
3 
м 60° к краю — зачатки скелет-
мелкая зазубренность под угло: 
< 
: 
`
ного роста по одной из побочных осей. В случае большого аиат
клона главных осей к направлению роста неровности достх;;икіе
значительно большего размера. Поверхность льда 
1:_)3 П:шния
с водой становится гладкой только в результате обтаи: 
у
а 
не 
во время замерзания. 
:
В разобранном выше случае поверхность основания, © кЁ`
торого растут кристаллы, — плоская. Если поверхность нероэБ
ная, 
с выпуклостями и впадинами больше ширины кристалл
пер\;ичного слоя, то вначале возникают пучкообразные и вееро-
167
2