‚ в случаях, когда в самом субстрате наблюдается более или ме- нее значительный температурный градиент в параллельном поверхности направлении и охлаждение распространяется не только со стороны основания, но и по воде, параллельно ему. 4. Кристаллы нарастают преимущественно главной осью параллельно основанию (по закону Кальба) в условиях обрат- ной температурной стратификации, когда переохлаждение воз- растает по мере удаления от поверхности основания внутрь толщи воды и основание играет роль только места зарождения кристал- лов, а не источника холода; при намерзании конжеляционного льда это случай сравнительно редкий, но возможный и неодно- кратно возникавший во время экспериментов (фиг. 33). Все это относится к конжеляционному льду, кристаллы ко- торого в условиях свободного роста всегда принадлежат к пла- стинчатому типу. У столбчатых сублимационных кристаллов (при низкой температуре) соотношения, судя по немногочислен- ным данным, обратные. В отличие от конжеляционных, у субли- мационных кристаллов наиболее распространено нарастание по закону Кальба, что связано с обратной стратификацией степени насыщения воздуха водяными парами, особенно характерной при образовании изморози во время ветра. В свете этих данных механизм пассивного ориентирующего влияния основания на нарастающие кристаллы представляется следующим образом. Статистический характер законов нараста- ния свидетельствует о том, что упорядочение ориентировки яв- ляется результатом отбора и преимущественного развития только более благоприятно ориентированных кристаллов. Разви- ваются преимущественно те кристаллы, направление наиболь- лшей скорости роста которых не выходит за пределы переохлаж- денного слоя воды (или пересыщенного слоя раствора, пара). Чем тоныше этот слой, тем сильнее пассивное ориентирующее влияние основания, и, наоборот, вплоть до полного отсутствия ориентирующего влияния в условиях равномерного переохлаж- дения значительной толщи воды. Пластинчатые кристаллы с наи- большей скоростью роста по базисной плоскости при охлаждении со стороны основания нарастают преимущественно по закону Бертэна — пластинками параллельно основанию (так как при другой ориентировке пластинка, дойдя до границы переохлаж- дения, прекращает рост), а при охлаждении с противоположной стороны — преимущественно по закону Кальба — ребрами ба зисных пластинок. У столбчатых кристаллов, обладающих меньшей анизотропией скоростей роста, закономерности анало- тичны (в первом случае нарастание происходит главной осью па- раллельно основанию, во втором — нормально к нему), но вы- ражены менее четко. Отклонения от однообразной ориентировки усиливаются также неровностями поверхности основания. 162 7 Йолаотвение с0 СТООНЫ! ОСОВаНИЯ быстров МОЙЛЕННОЕ 5. ЛУдуичеетво. Иривталтв -75. боличество бригталлия -# Уидильшая Мнцентриция -д7 % Игибольшая _ Яонцентрация -54 5% Й. Равномврное даутотсвение од и ‘оруоватия Й. Ва солоиее ОСНОВНИЯ 2 Иоичество Иригталтов -И ибрльшая Попуентрация -# Лоличество ристаллов -И Уийольшая Мощентрация -4 % С, ЕВугя ЕВ рле ШШр-ух ВЙ и-д% -з ВН п-п% Фиг. 83. Стереограммы кристаллографической орнентировки трех типов нарастания первичного слоя конжеляционного льда на твердое тетероморфное основание. бс — ПЛОНИТЬ ОСНОВЕНИЯ \ 1*