`Наличие явлений эпитаксии у льда не доказано. Толкование ‚упоминавшегося в литературе случая ориентированного нара- “стания льда на свежую поверхность раскола слюды (NoаКауа, ТоЧа а. Магиуата, 1938) как эпитаксического нарастания (No\е!сКтапп, 1949, стр. 10) не обосновано! структурными данными и, быть может, объясняется пассивным ориентирующим влиянием -основания. Во всяком случае, ввиду большого своеобразия струк- туры льда трудно полагать, чтобы эпитаксическое нарастание льда было сколько-нибудь широко распространено. Полностью же изоморфных льду веществ, как отмечалось выше, вообще не существует. Поэтому можно сказать, что ориентирующее влия- ние на, лед субстрата, основанное на взаимодействии кристал- лических решеток, проявляется практически только при нара- „стании льда на лед. Однако и ледяное основание не всегда вызывает вынужден- ную кристаллизацию с конформным нарастанием; при загряз- нении поверхности и при быстром охлаждении на нем, как и на поверхности любого другого вещества, происходит процесс про- токристаллизации — зарождения и роста новых кристаллов. В этом случае центрами кристаллизации обычно служат шеро- ховатости поверхности, от обилия и эффективности которых на- ряду со скоростью охлаждения зависят густота расположения новообразующихся кристаллов и, следовательно, их размеры и форма (в сечении параллельно основанию) после соединения в сплошной слой. Ориентировка: кристаллов такого слоя часто: оказывается упорядоченной, но уже явно не под влиянием кри- сталлической решетки основания. В отличие от активного за- травочного действия кристаллической решетки субстрата ориен- тирующее влияние поверхности основания на ‘самостоятельно зарождающиеся кристаллы можно вслед за Д. П. Григорьевым ‹(1947, стр. 25) назвать пассивным, так как роль основания в этом случае сводится, собственно, к изменению внешних усло- вий существования кристаллов. Общая кристаллографическая проблема пассивного ориен- тирующего влияния основания на нарастающие кристаллы, об- суждавшаяся на протяжении уже более ста лет!, до сих пор не имеет общепризнанного решения. Относительно наиболее широким признанием пользуется теория отбора кристаллических зародышей в первую стадию кристаллизации, однако по вопросу -о факторах отбора мнения расходятся. Впервые теория отбора возникла при изучении полярных кристаллов виноградного сахара, когда было установлено, что последние нарастают на основание преимущественно наиболее легко растворимой гранью. На этом основании был выдвинут принцип наиболь- * Насколько известно автору, с 1835 г. 158 шего сопротивления растворению, гласящий, что вследствие колебаний степени насыщения при первом же выделении выживут и будут расти лишь те зародыши, которые спрячут свою легкорастворимую сторону в основание, а осталь- ные или вообще не образуются, или вскоре растворяются {ВесКе, 1889, стр. 494). Впоследствии этот приннип, разра- батывавшийся главным образом для объяснения закономерного срастания кристаллов, был распространен и на неполярные ве- щества в виде принципа минимума поверхности: сохраняются те кристаллики, которые лучше всего защищены от разрушения благодаря тому, что скрыли от материнского раствора возможно большую часть своей псверхности соприкосновением с основа- нием или образованием двойников (Мйвре, 1903, стр. 455). Однако более обильный фактический материал вскоре за- ставил выдвинуть диаметрально противоположный принципу наибольшего сопротивления растворению принцип наи- большей скорости роста и соответственно н а и- большей свободной удельной поверхности при нарастании, причем указывалось, что он имеет значение для растворов, сильно пересыщенных во время образования заро- дышей, где возможность временных недосыщений исключена, а за первым принципом сохраняется значимость для противо- положных, реже встречающихся условий (Лойпзеп, 1907, стр. 326; НоШпег, 1927, стр. 199). Принцип наибольшей скорости роста был выдвинут, соб- ственно, еще раньше Ф. Трутоном, но не в связи с величиной свободной поверхности кристаллов, а в связи с различием теп- лопроводности в разных кристаллографических направлениях: Согласно этой гипотезе, при кристаллизации расплава разви- ваются те зародыши, которые ориентированы осью наи- большей теплопроводности в направлении теплоотдачи (Тгошюп, 1898, 1910). Трутон применял ее и для объяснения нормальной к поверхности замерзания ориен- тировки главных осей кристаллов льда в ледяном покрове водоемов, принимая несколько ббльшую теплопроводность льда по главной оси, чем в других направлениях. В отличие от этих разновидностей теории отбора, предпола- тающей беспорядочную первичную ориентировку кристалли- ческих зародышей, высказывались мнения о том, что кри- сталлы способны зарождаться только в определенном поло- жении. Одни авторы считали при этом ориентирующим факто- ром тепловой поток, якобы непосредственно действующий на частицы жидкости во время кристаллизации (гипотеза` тер- мотропии) (Мае%, 1845, стр. 592; В!тпе, 1926, стр. 71), а Г. Кальб — поверхностную энергию — кристалла (Ка!Ь, 1920, стр. 286). Согласно последней гипотезе, исходящей из принё 159