7 /
Рис. 5.1. Основные направления сдвигающих усилий относительно главной
кристаллографической оси кристалла
ОО - оптическая ось кристалла; Бл — базисная плоскость; Эп — элементарные
пластинки; Р — направление сдвигающего усилия.
а — направление усилия Р совпадает с Бл; 6 - направление усилия Р перпендикулярно
Бл; в — направление усилия Р в плоскости, перпендикулярной Бл
относительно главной кристаллографической оси и базисной плоскости.
Атомы в пространственной решетке кристалла располагаются таким
образом, что сдвиг в базисной плоскости вызывает разрыв только двух
молекулярных связей, в то время как разрушение по любой другой
плоскости, перпендикулярной к базисной, требует разрыва по менышей
мере четырех связей на одну кристаллическую ячейку. Поэтому струк-
туру льда представляют как совокупность многочисленных очень
тонких, но прочных гибких пластинок, расположенных перпендикулярно
к оси кристалла, которые могут сравнительно легко сдвигаться друг
относительно друга. Скольжение элементарных пластинок может
происходить в любом направлении базисной плоскости, вплоть до
полного извлечения частей кристалла.
В тех случаях, когда направление сдвигающего усилия не совпа-
дает с базисной плоскостью, происходят одновременно изгиб элемен-
38